Sommige modellen testers zijn uitgerust met ingebouwde meters voor de versterking van transistors met laag vermogen. Als u niet over zo'n apparaat beschikt, kan de gezondheid van de transistors worden gecontroleerd met een conventionele tester in ohmmetermodus of met een digitale tester in diodetestmodus.
instructies:
Stap 1
Om bipolaire transistoren te testen, sluit u een sonde van de multimeter aan op de basis van de transistor, brengt u de tweede sonde afwisselend naar de emitter en de collector, vervangt u de sondes en herhaalt u dezelfde stappen. Houd er rekening mee dat er in de elektroden van veel digitale of krachtige transistors beschermende diodes kunnen zijn tussen de collector en de emitter en ingebouwde weerstanden tussen de basis en de emitter of in het basiscircuit, als u dit niet weet, dan per ongeluk u kunt dit element als defect beschouwen.
Stap 2
Houd er bij het controleren van veldeffecttransistoren rekening mee dat ze in een grote verscheidenheid aan typen verkrijgbaar zijn. Het testen van transistors met een poort op basis van een pn-junctie blokkeerlaag wordt bijvoorbeeld als volgt uitgevoerd. Neem een gewone wijzer ohmmeter of digitaal (de tweede is handiger).
Stap 3
Meet de weerstand tussen afvoer en bron, deze moet klein zijn en ongeveer gelijk in beide richtingen. Meet nu de voorwaartse en achterwaartse weerstand van de kruising, sluit hiervoor de sondes aan op de poort en afvoer (of bron). Als de transistor goed is, zal de weerstand in beide richtingen anders zijn.
Stap 4
Wanneer u de weerstand tussen de afvoer en de bron controleert, verwijdert u de lading van de poort, hiervoor sluit u deze een paar seconden met de bron, als dit niet gebeurt, krijgt u een niet-herhalend resultaat. De meeste veldeffecttransistoren met laag vermogen zijn extreem gevoelig voor statische elektriciteit. Zorg er daarom, voordat u de transistor in handen neemt, voor dat er geen ladingen op uw lichaam achterblijven. Om ze kwijt te raken, raakt u een geaard apparaat met uw hand aan (een verwarmingsbatterij is voldoende). Krachtige veldeffecttransistoren zijn meestal uitgerust met statische bescherming, maar desondanks zal de bescherming bij het werken ermee ook niet beschadigen.
